时间：2025/9/15 3:10:25
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PSMN4R5-40PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。该器件广泛用于电源管理和功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。PSMN4R5-40PS 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具备高可靠性和良好的散热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：150A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN4R5-40PS 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），最大值仅为 4.5mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高能效。该特性对于需要高效率和低功耗的应用，如服务器电源、电信设备和电动工具等尤为重要。
此外，该 MOSFET 采用了 Nexperia 的 LFPAK56 封装技术，这种封装不仅具有出色的热性能，还能提供更高的机械强度和可靠性。LFPAK56 封装通过双面散热设计，能够有效降低芯片工作温度，从而提高器件在高负载条件下的稳定性。
PSMN4R5-40PS 支持高达 150A 的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。其 ±20V 的栅源电压耐受能力使其在高噪声环境中仍能保持稳定运行，避免因电压尖峰导致的误开通或损坏。
PSMN4R5-40PS 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子系统中。在电源管理领域，它广泛应用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中，特别是在服务器、通信设备和工业控制设备中。此外，该器件也适用于电动工具、无刷直流电机控制以及新能源汽车中的功率控制模块。
由于其优异的热性能和高电流承载能力，PSMN4R5-40PS 在高功率密度设计中表现出色，例如用于电源适配器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器等系统中的开关元件。LFPAK56 封装的双面散热特性也使其在没有复杂散热结构的紧凑型设计中具有优势。
在汽车电子领域，PSMN4R5-40PS 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及其他需要高可靠性和高效率的车载功率系统中。其宽工作温度范围和良好的抗干扰能力使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。
SiSSPM45R400P, IPD60R450PFD7S, BSC045N04LS
