时间：2025/6/30 12:18:20
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MA0402CG3R3D250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 结构，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器及无线充电设备等场景。
其封装形式为行业标准的塑封结构，便于表面贴装工艺，同时提供出色的散热性能以满足高性能需求。
型号：MA0402CG3R3D250
类型：增强型 GaN 功率晶体管
导通电阻（典型值）：3.3 毫欧姆
击穿电压（Vds）：650 伏特
栅极阈值电压（Vgs）：1.8 至 3.6 伏特
最大漏极电流（Id）：95 安培
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DFN8（3mm x 3mm）
MA0402CG3R3D250 的主要特点是其卓越的开关性能和热稳定性。该器件的导通电阻非常低，可显著降低传导损耗，从而提升系统效率。
此外，它还支持高达 650V 的耐压能力，使其适合各种高压应用场景。相比传统的硅基 MOSFET，这款 GaN 器件具有更快的开关速度和更低的寄生电容，有助于减少开关损耗并实现更高的工作频率。
其紧凑的封装尺寸简化了 PCB 设计流程，同时增强了热管理效果。综合来看，这款晶体管非常适合追求高效、小型化的现代电力电子设计。
该器件广泛应用于以下领域：
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关电源（SMPS）
- 电动汽车充电桩
- 工业电机驱动
- 无线充电模块
- LED 照明驱动电路
- 太阳能逆变器
由于其高频操作能力和低功耗特性，MA0402CG3R3D250 成为了许多高密度功率解决方案中的理想选择。
MP4023R3D250
GAN042-650WSA
EPC2045
