时间：2025/9/14 12:19:25
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PSMN4R5-40PS,127 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用高性能Trench MOS技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：PowerSO-10（也称为PS-10）
安装方式：表面贴装（SMD）
PSMN4R5-40PS,127 具备多个关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为4.5mΩ，能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的Trench MOS工艺，确保了良好的电气性能和稳定性。
其次，该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达120A，在Tc=25℃条件下，能够满足高功率密度设计的需求。同时，其130W的功率耗散能力配合良好的热管理设计，有助于提升器件在高负载条件下的可靠性。
再者，该MOSFET支持±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力，适用于多种栅极驱动电路配置。其工作温度范围从-55℃到+175℃，适合在恶劣环境下稳定运行。
最后，该器件采用PowerSO-10封装，符合RoHS标准，具备良好的可焊性和装配兼容性，适用于自动化SMT生产线，便于大规模生产与应用。
PSMN4R5-40PS,127 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效能的电压转换。同时，它也适用于同步整流电路，以减少导通损耗并提高整体效率。
此外，该器件在电池管理系统（BMS）和电机驱动电路中也具有广泛的应用。由于其高电流承载能力和低导通电阻，使其非常适合用于电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中的功率开关。
在电源管理模块中，如负载开关、热插拔控制器和电源分配系统，PSMN4R5-40PS,127 能够提供可靠的开关性能和优异的热稳定性。在服务器、通信设备和工业电源系统中，该MOSFET常用于多相电源设计，以实现高效能的功率分配。
总体而言，PSMN4R5-40PS,127 凭借其高性能参数和稳定可靠的工作特性，成为众多高功率密度和高效率电源系统中的首选MOSFET器件。
PSMN5R8-40YS,127; PSMN3R8-40PS,127; PSMN4R0-40YLC,127
