时间：2025/9/14 9:55:10
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PSMN4R5-40BS,118是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场景。该器件采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适合高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：11A
RDS(on)（最大值）：4.5mΩ @ VGS = 10V
功率耗散(PD)：60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔
引脚数：3
技术：TrenchMOS
PSMN4R5-40BS,118采用先进的TrenchMOS工艺制造，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的热阻较低，能够在高功率应用中保持良好的散热性能。其高电流容量（ID为11A）和耐压能力（VDS为40V）使其适用于多种中高功率电子系统。
此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适应性强，能够在高温或低温环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种驱动电路设计，并具有良好的抗干扰能力。
封装方面，PSMN4R5-40BS,118采用TO-220AB封装，具有较高的机械强度和良好的焊接性能，便于安装和散热处理。这种封装形式也使其适合用于高可靠性要求的应用场景。
PSMN4R5-40BS,118广泛应用于各类功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备等。由于其高效的导通性能和良好的热管理能力，特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统、LED照明驱动以及各类嵌入式控制系统中。
PSMN5R0-40YSF,118
IPD90N04S4-07
IRF3710PBF
