时间：2025/8/28 8:03:03
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PQ15RF21是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高频率开关应用而设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种高频功率转换设备中。该器件采用紧凑的封装设计，能够在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：2.1A
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220F
PQ15RF21的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性。该器件的低导通电阻可以显著降低导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，其快速开关特性使其适用于高频率开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提升系统功率密度。PQ15RF21还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或瞬态条件下保持稳定运行。该MOSFET采用ROHM的先进工艺制造，具有优异的热管理和长期可靠性，适用于各种严苛工作环境。
其封装形式为TO-220F，具备良好的散热性能，便于在高功率应用中安装和使用。同时，该器件的栅极驱动要求适中，能够兼容标准的MOSFET驱动电路。
PQ15RF21广泛应用于多种电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器、电源适配器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。其高频率特性使其特别适合用于高频开关电源设计，有助于实现更小体积和更高效率的电源解决方案。
PQ15RF21的替代型号包括SiHF15N40E和FDPF15N40。
