PQ15RF21是一款由罗姆(ROHM)公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高频率开关应用而设计,广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种高频功率转换设备中。该器件采用紧凑的封装设计,能够在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):2.1A
功率耗散(PD):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220F
PQ15RF21的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性。该器件的低导通电阻可以显著降低导通损耗,从而提高整体系统的效率。此外,其快速开关特性使其适用于高频率开关应用,有助于减小外围元件的尺寸并提升系统功率密度。PQ15RF21还具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在突发负载或瞬态条件下保持稳定运行。该MOSFET采用ROHM的先进工艺制造,具有优异的热管理和长期可靠性,适用于各种严苛工作环境。
其封装形式为TO-220F,具备良好的散热性能,便于在高功率应用中安装和使用。同时,该器件的栅极驱动要求适中,能够兼容标准的MOSFET驱动电路。
PQ15RF21广泛应用于多种电源管理系统,包括但不限于DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器、电源适配器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。其高频率特性使其特别适合用于高频开关电源设计,有助于实现更小体积和更高效率的电源解决方案。
PQ15RF21的替代型号包括SiHF15N40E和FDPF15N40。