时间：2025/9/14 18:55:04
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PSMN4R3-30BL 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电系统等场合。PSMN4R3-30BL采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有优异的开关性能和导通性能，能够在高频率下稳定工作。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
功耗（Ptot）：120W
导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（最大值，Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
PSMN4R3-30BL 具备一系列优异的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效电源系统的设计需求。
首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)）最大值为4.3mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。由于采用了先进的Trench MOSFET技术，该器件在高频开关条件下依然能够保持良好的性能，减少开关损耗，提高系统的响应速度和稳定性。
其次，PSMN4R3-30BL 的连续漏极电流可达160A，适用于大电流应用场景，如服务器电源、电动工具和工业控制系统。该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种严苛的环境条件。
此外，该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的散热能力，有助于降低工作温度并提高可靠性。封装设计也方便用户进行安装和散热管理，适合用于PCB板上的高功率密度设计。
PSMN4R3-30BL 还具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），使得在栅极驱动设计上更加灵活，能够兼容多种驱动电路方案，从而简化电路设计并提高系统稳定性。
PSMN4R3-30BL 广泛应用于各种高功率和高效能电源管理系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源管理单元（PMU）以及工业自动化设备中的功率开关电路。
在DC-DC转换器中，PSMN4R3-30BL 的低导通电阻和高频开关性能使其成为理想的高边和低边开关器件，能够显著提升转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，提供快速响应和可靠的功率控制。
此外，该MOSFET还适用于高电流负载开关应用，如服务器电源、UPS（不间断电源）和电动工具等，能够在高负载条件下稳定运行，提供良好的过载和短路保护能力。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPP114N10N3 G, AO4407
