时间：2025/5/12 12:49:36
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PSMN4R0-60YS 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 NexFET 系列，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的制造工艺设计，具备低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
PSMN4R0-60YS 的封装形式为 DPAK（TO-252），其工作电压高达 60V，能够满足大多数中低压最大漏源电压：60V
连续漏极电流：43A
导通电阻（典型值）：4.0mΩ
栅极电荷（典型值）：17nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
PSMN4R0-60YS 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，使其适合于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，可有效减少开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 封装设计支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和紧凑型设计。
6. 可靠性高，能够在极端温度条件下稳定运行。
PSMN4R0-60YS 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业设备中的功率转换模块。
PSMN4R0-60YL, PSMN4R0-60YLD
