时间：2025/9/14 9:19:55
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PSMN4R0-60YS,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池管理系统和负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.0mΩ（典型值，VGS=10V时）
功耗（Ptot）：150W
封装：LFPAK56（Power-SO8）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PSMN4R0-60YS,115 具有极低的导通电阻（RDS(on)）特性，典型值为4.0mΩ，确保在高电流条件下实现最小的导通损耗，提高电源转换效率。
该MOSFET采用先进的Trench工艺技术，提供优异的热性能和电流处理能力，适用于高功率密度设计。
其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有优异的散热性能，同时支持表面贴装（SMT）工艺，提高生产效率和可靠性。
该器件支持高达180A的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于高性能电源系统。
此外，PSMN4R0-60YS,115具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力开关应用中的稳定性和寿命。
PSMN4R0-60YS,115 主要应用于高效能电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关等场景。
在服务器和通信电源系统中，该MOSFET可作为主功率开关或同步整流器使用，提供高效率和低发热表现。
在电池管理系统中，它用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全和稳定运行。
由于其优异的热性能和大电流能力，该器件也常用于电机驱动、功率放大器和工业自动化控制系统中。
PSMN5R0-60YS,115, PSMN3R5-60YS,115, PSMN4R2-60YLC,115, IPP075N06N3, IPP085N06N3
