时间：2025/9/14 4:51:03
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PSMN4R0-30YL,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性。PSMN4R0-30YL,115 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适用于汽车电子、电源管理、DC-DC 转换器、负载开关等高可靠性要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.0mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN4R0-30YL,115 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。其次，该MOSFET采用了LFPAK56封装技术，这种封装形式具有优异的热传导性能和高机械稳定性，特别适合高温环境下运行的应用。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路等异常条件下提供更稳定的性能。其栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至10V的驱动电压，兼容多种驱动电路设计。PSMN4R0-30YL,115还具备卓越的可靠性，符合AEC-Q100汽车级认证，适用于对稳定性和寿命要求极高的汽车电子系统。
该MOSFET的高频开关能力也使其成为高效开关电源、同步整流器以及电机控制电路中的理想选择。LFPAK56封装不仅提供了良好的热管理，还支持双面散热设计，进一步提升了功率密度。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，从而提高系统效率。PSMN4R0-30YL,115在制造过程中采用了无铅和符合RoHS标准的材料，满足环保法规要求，适用于现代绿色电子产品设计。
PSMN4R0-30YL,115 广泛应用于多种高功率和高可靠性要求的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及DC-DC转换器。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于电机驱动、负载开关和功率调节模块。此外，它还适用于通信设备中的电源模块、服务器和台式计算机的电源管理系统、LED照明驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其优异的热性能和高电流能力，该器件也非常适合用于需要长时间运行的高功率应用，例如太阳能逆变器、储能系统和智能电网设备。
SiR142DP-T1-GE3, IRF6723TRPBF, BSC090N03LSG, Nexperia PSMN5R0-30LD, Infineon BSC090N03LS G
