时间：2025/7/9 18:17:19
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AUIRF1010EZSTRR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET，专为汽车级应用设计。该器件采用 TO-263-2 (DPAK) 封装，适用于高电流开关和负载驱动等场景。其低导通电阻特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 以其出色的热性能和电气性能而闻名，非常适合在严苛的工作环境下使用，例如汽车电子系统中的电机控制、电源管理及负载切换等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-2 (DPAK)
符合标准：AEC-Q101
AUIRF1010EZSTRR 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 4.5mΩ（典型值），这使得器件在高电流条件下具有较低的功耗和更高的效率。
此外，它还具备快速开关能力，能够显著降低开关损耗，同时拥有高雪崩能量能力，增强其在瞬态条件下的可靠性。
器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应各种极端环境，并且符合 AEC-Q101 标准，确保了其在汽车应用中的稳定性和耐用性。
由于采用了 DPAK 封装，该 MOSFET 具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。
AUIRF1010EZSTRR 广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于：
1. 电机驱动与控制
2. 车载电源管理系统
3. 汽车照明控制
4. 各类负载切换电路
5. DC-DC 转换器
6. 电池保护电路
其强大的电气性能和高可靠性也使其适合工业和其他高性能应用场合。
IRFZ44N
STP160N06
FDP15U60AE
AON6928
