时间：2025/9/14 18:07:19
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PSMN3R8-100BS,118 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流和高功率应用。该器件采用先进的Trench技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合在需要高效能和小尺寸封装的应用中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：100V
最大漏极电流(ID)：75A
导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ
栅极电荷(Qg)：54nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：Power-SO8
PSMN3R8-100BS,118 MOSFET的主要特性包括其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件采用先进的Trench技术，实现了高电流密度和卓越的热稳定性。其坚固的结构和宽工作温度范围使其适用于恶劣的工作环境。该MOSFET还具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
另外，PSMN3R8-100BS,118采用了Power-SO8封装，这种封装形式具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合在空间受限的应用中使用。该封装还支持自动化装配，提高了生产效率。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗，同时其高耐压能力和高电流处理能力使其在各种功率应用中表现出色。
PSMN3R8-100BS,118 MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及汽车电子等高功率领域。其低RDS(on)和高效率的特性使其成为高性能电源设计的理想选择。在汽车应用中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统。此外，它也适用于工业自动化设备、电源供应器和能源存储系统等应用场景。
IRF1324S-7PPBF, SiSS130DN
