时间：2025/5/27 16:25:49
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HUF76423P3 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等。其优异的电气性能和热性能使其成为许多功率管理应用的理想选择。
该芯片具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。同时，它具备快速开关速度和良好的热稳定性，能够适应较宽的工作温度范围。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总栅极电荷：19nC
输入电容：1480pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
HUF76423P3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 42A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，适合高频应用环境。
4. 强大的热性能表现，可确保在高温条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 布局空间。
HUF76423P3 广泛应用于多种功率电子领域，具体如下：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电池管理系统 (BMS)，如电动车、储能设备中的电池保护。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
4. 负载开关和保护电路，提供过流、短路保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 充电器和适配器设计。
HUF76423N3
HUF76423T3
