时间：2025/6/20 22:13:13
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SVD50N06D是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，能够提供良好的散热性能和电气连接稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1800pF
最大功耗：140W
结温范围：-55℃至+150℃
SVD50N06D具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
此外，其快速的开关特性减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。
该器件的高雪崩击穿能量能力增强了其在异常工作条件下的鲁棒性。
由于采用了先进的制造工艺，SVD50N06D能够在高温环境下保持稳定的性能，同时具备出色的热稳定性和电气可靠性。
它的TO-220封装提供了优秀的散热性能，简化了散热设计过程。
SVD50N06D常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关
2. DC-DC转换器中的同步整流
3. 电机驱动电路中的功率级
4. 各种负载切换和保护电路
5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理模块
6. 工业自动化设备中的功率控制单元
IRFZ44N
STP50NF06L
FDP50N06L
