时间：2025/9/15 1:10:44
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PSMN3R7-100BSE 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的 TrenchPlus 技术制造。这款器件设计用于高效率、高功率密度的应用场景，具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能。PSMN3R7-100BSE 采用标准的 TO-220 封装形式，适合用于电源管理和功率转换系统中。它在工业控制、电源供应器、DC-DC 转换器等领域具有广泛的应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：100V
漏极-栅极电压（VDG）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）@25°C：160A
漏极电流（ID）@100°C：96A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
PSMN3R7-100BSE MOSFET 器件的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 3.7mΩ。这种低导通电阻可以显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该器件的漏极-源极电压额定值为 100V，漏极电流在 25°C 下可达 160A，在高温下（100°C）仍可维持 96A 的稳定电流能力，使其非常适合高功率应用场景。
该器件采用先进的 TrenchPlus 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，提升了整体性能。同时，PSMN3R7-100BSE 具有良好的热稳定性，最大工作温度可达到 175°C，适合在严苛环境下使用。器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准的 MOSFET 驱动电路，简化了系统设计。
封装方面，该器件采用 TO-220 标准封装，具有良好的散热性能，并且易于集成到各种 PCB 设计中。其 300W 的功率耗散能力确保了在大电流和高电压条件下仍能保持稳定运行。TO-220 封装还具有良好的机械稳定性和电气隔离特性，适合多种工业和电源应用。
PSMN3R7-100BSE MOSFET 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高电流能力和优异的导通性能，该器件在高功率密度和高效率电源系统中表现尤为出色。
此外，PSMN3R7-100BSE 也广泛应用于服务器电源、电信设备电源、汽车电子系统（如车载充电器和 DC-DC 转换器）等对功率器件可靠性要求较高的场合。其高温耐受能力使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
在电机控制方面，该器件可用于高性能 H 桥电路和 PWM 控制系统，实现高效的电机驱动和能量回收。由于其快速开关特性和低导通电阻，PSMN3R7-100BSE 可以有效减少功率损耗，提高系统整体效率。
IPB017N10N3 G, IXFH160N10P, FDP160N10A
