时间：2025/9/14 16:35:59
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PSMN3R4-30BLE 是由 Nexperia（安世半导体）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，具备低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。PSMN3R4-30BLE 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优良的热性能和电流承载能力，适合高密度电源设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：150A
导通电阻 Rds(on)：3.4mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN3R4-30BLE 具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 3.4mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统。此外，该 MOSFET 采用 Nexperia 独有的 LFPAK56 封装技术，这种封装不仅具有优异的热管理能力，还提供了更高的机械强度和焊接可靠性，适用于汽车电子和工业控制等严苛环境。
PSMN3R4-30BLE 的栅极驱动电压范围宽泛，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs 电压，便于与各种栅极驱动器配合使用。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在瞬态过压情况下的稳定性，提高了系统的整体可靠性。同时，该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，具备较低的开关损耗，适用于高频率功率转换器设计。
此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 标准，具备绿色环保属性，适用于各种高功率密度、高性能要求的电子系统中。
PSMN3R4-30BLE 广泛应用于多个高性能电源管理领域。其主要应用场景包括同步整流型 DC-DC 转换器、大电流负载开关、电动工具电源系统、服务器电源、工业自动化设备以及电池管理系统（BMS）。在同步整流电路中，该器件能够有效降低导通损耗并提高转换效率，从而实现更高的能量利用率。在汽车电子领域，如车载充电系统、电机控制器和电池保护电路中，PSMN3R4-30BLE 凭借其高可靠性和优良的热性能，成为理想的功率开关元件。此外，该 MOSFET 还适用于高性能计算设备的电源模块、太阳能逆变器以及高密度电源适配器等应用场景。
SiSS150DN-T1-GE3, IPB013N06N3 G, BSC090N03MS G
