时间：2025/9/14 12:38:02
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PSMN3R4-30BL,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能，适合在高功率密度应用中使用。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），提供良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：50nC（典型值）
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN3R4-30BL,118 的最大特点在于其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为3.4mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用了Nexperia的先进Trench MOSFET技术，确保了在高电流下的稳定性能。
此外，该MOSFET具有良好的热管理能力，其封装设计能够有效散热，支持高达175℃的工作温度，适用于高功率和高温环境的应用。栅极电荷较低（Qg=50nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。
该器件还具备良好的短路耐受能力和高雪崩能量能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。PSMN3R4-30BL,118 适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统，如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电池管理系统。
PSMN3R4-30BL,118 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
1. DC-DC转换器：用于服务器电源、电信设备和工业电源系统。
2. 同步整流电路：提高电源转换效率，特别是在低电压高电流应用中。
3. 负载开关：用于控制高电流负载的接通与断开，如电动工具、汽车电子系统等。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路。
5. 电机驱动和功率放大器：适用于需要高电流和低导通损耗的控制电路。
PSMN4R2-30BL,118
PSMN2R8-30BL,118
