时间：2025/9/14 14:18:30
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PSMN3R3-60PLQ 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率密度和高效能要求的应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A（在Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：2.8V（最小值）
封装形式：Power-SO8（8引脚）
PSMN3R3-60PLQ 采用高性能Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少导通损耗并提高效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现尤为出色，同时具备良好的热稳定性和散热性能。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，提升了在严苛工作环境下的可靠性和耐用性。该器件还支持快速开关，适用于高频工作场景，减少了开关损耗。其封装设计紧凑，适用于空间受限的电路设计，并具有良好的焊接可靠性和机械稳定性。
PSMN3R3-60PLQ 广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、电源管理系统、电动工具和电动汽车的电机控制、电池保护电路、工业自动化设备、服务器和通信电源模块。由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件在高功率密度电源设计中尤为受欢迎。
PSMN2R0-60PLQ, PSMN5R8-60PLQ, PSMN1R8-60PLQ
