时间：2025/9/15 2:37:20
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PSMN3R0-60PS 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率 MOSFET 器件。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，适用于各类 DC-DC 转换器、电源管理模块及电机控制电路。PSMN3R0-60PS 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供出色的开关性能和导通损耗优化。
型号：PSMN3R0-60PS
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：140A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：140nC
最大功耗(Pd)：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN3R0-60PS 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，提供更小的晶粒尺寸和更高的电流密度，从而提升整体功率密度。
该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保长期使用的可靠性。同时，PSMN3R0-60PS 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率表现。
其封装形式为 PowerSO-10，具备良好的散热性能和机械强度，适用于高功率应用。此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在高应力条件下的稳定性。
PSMN3R0-60PS 主要应用于高效率电源转换系统，如同步整流DC-DC转换器、负载点（POL）电源、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）以及电机控制和驱动电路。
在服务器和通信设备中，该MOSFET用于构建高密度、高效率的电源模块，满足高功率需求同时降低能耗。在电池管理系统中，其低导通电阻和高可靠性使其成为理想的开关元件。
此外，PSMN3R0-60PS 也广泛用于工业自动化设备、电动汽车充电系统、太阳能逆变器等对功率和效率有严格要求的场合。
IPB013N06N3 G | IRF1405 | Si7461DP | PSMN5R0-60YS
