时间：2025/9/15 3:06:51
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PSMN3R0-30YLD 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等领域。PSMN3R0-30YLD 采用先进的Trench技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）@25°C：180A
导通电阻 RDS(on)：3.0mΩ @VGS=10V
导通电阻 RDS(on)：4.2mΩ @VGS=4.5V
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：Power-SO8
PSMN3R0-30YLD 的核心优势在于其极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的导通压降，从而显著降低导通损耗。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提升了电流密度和热稳定性，适合高频开关应用。
该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了器件在突发电压和电流冲击下的可靠性，适用于严苛的工作环境。此外，PSMN3R0-30YLD 采用Power-SO8封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V控制器），同时也支持10V驱动电压以获得更低的导通电阻。这种灵活的驱动特性使其能够与多种控制器和驱动IC配合使用，广泛适用于各种电源系统设计。
PSMN3R0-30YLD 还具备出色的热阻性能（Rth），确保在高温环境下仍能稳定工作。其高可靠性和长寿命使其成为工业电源、服务器电源、电信设备和汽车电子系统中的理想选择。
PSMN3R0-30YLD 主要应用于高功率密度电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）等。其优异的导通特性和高电流能力使其在高性能电源转换系统中表现出色，尤其适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、48V轻混系统、车载逆变器和各种高可靠性电源模块。此外，PSMN3R0-30YLD 也广泛用于服务器电源、通信设备、工业自动化和UPS不间断电源等高要求应用场景。
SiSSPM180N10NQ, BSC138N10NS5AG, PSMN5R0-30YLD
