时间：2025/9/14 23:03:08
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PSMN2R9-25YLC是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供良好的导通和开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。PSMN2R9-25YLC采用DFN2020D-8（Dual Flat No-lead）封装，具备较小的封装体积和较高的散热效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：2.9mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功率耗散（Ptot）：3.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN2020D-8
PSMN2R9-25YLC的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率；其25V的漏源电压额定值使其适用于低压高电流应用，如电源管理模块和负载开关。该MOSFET采用了Nexperia的先进Trench技术，优化了导通和开关性能，从而实现更高的能效和更低的开关损耗。此外，该器件的DFN2020D-8封装具有良好的热管理能力，支持在高功耗条件下稳定运行。PSMN2R9-25YLC还具备高可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证，适用于对质量与可靠性要求较高的汽车电子系统。其封装设计也便于自动化装配，提高了生产效率。
PSMN2R9-25YLC的栅极驱动电压范围为1.8V至12V，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制器和驱动电路。该器件具备较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于减少高频开关应用中的驱动损耗和噪声干扰。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频DC-DC转换器等应用。
PSMN2R9-25YLC广泛应用于电源管理领域，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。由于其具备低导通电阻和高电流承载能力，该器件在便携式电子设备、服务器电源、工业自动化系统以及汽车电子系统中均有广泛应用。例如，在汽车应用中，PSMN2R9-25YLC可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的电源管理模块。
PSMN3R8-25YLC、PSMN4R2-25YLC、PMV39PEX、FDMS3610S、Si2302DS
