存储容量：256Kbit
　　组织结构：32K×8位
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装引脚数：54
　　访问时间：55ns
　　工作模式：异步
　　功耗：最大工作电流约10mA（典型值）
　　待机电流：最大10μA

GM76C256ALLFW55具有多项优良特性，适合多种应用需求。其核心特性包括低功耗设计、高速访问时间和高可靠性。
　　首先，低功耗是该芯片的重要特点之一。在正常工作模式下，芯片的最大电流仅为10mA，而在待机模式下，电流可降至10μA以下，非常适合电池供电设备和低功耗系统使用。此外，电源电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在不同电压环境下稳定运行。
　　其次，GM76C256ALLFW55具备高速访问能力。访问时间为55ns，能够满足大多数嵌入式系统和实时应用对数据存取速度的要求。作为异步SRAM，它不需要时钟信号，简化了电路设计并降低了功耗。
　　此外，该芯片采用TSOP封装，尺寸小巧，适合空间受限的设计环境。TSOP封装还具有良好的散热性能和较高的引脚密度，提高了整体系统的稳定性和可靠性。
　　最后，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，能够在各种严苛条件下稳定工作。

GM76C256ALLFW55广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子设备中。典型应用包括嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子产品、通信模块和传感器节点等。由于其异步SRAM的特性，该芯片也适用于需要快速数据缓存和临时存储的场景，如网络设备、打印机缓存和医疗设备数据存储。

ISSI IS62WV2568GLBLL-55BLY2I，Cypress CY62157VLL-55BZI，Alliance AS6C2568C-55BQFT，Microchip 23K256-I/P