时间：2025/9/14 18:15:03
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PSMN2R8-40YSD 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于高效率电源转换应用。该器件封装在小型化的 LFPAK56 封装中，具有优异的热性能和电流处理能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：210A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ（典型值，@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PSMN2R8-40YSD 具有低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在高功率密度应用中表现出色。该器件采用先进的 Trench 技术，提高了导通性能并降低了开关损耗。LFPAK56 封装具备优异的散热性能，能够有效提升器件的可靠性和使用寿命。此外，PSMN2R8-40YSD 的栅极驱动电压范围宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适用于多种驱动电路设计。
该 MOSFET 还具有出色的抗雪崩能力和高耐用性，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。其高集成度和紧凑的封装设计有助于减少 PCB 面积，提高系统设计的灵活性。PSMN2R8-40YSD 的封装不含铅，符合 RoHS 环保标准，适用于绿色电子产品的开发。
PSMN2R8-40YSD 常用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统等应用。其优异的性能使其成为高效能电源管理系统的理想选择，特别是在需要高电流和低导通损耗的场合。例如，在服务器和电信设备的电源模块中，该器件可以显著提升转换效率，降低能耗，同时缩小系统体积。
SiZ200DT, BSC028N04LS
