时间：2025/9/14 23:50:53
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PSMN2R8-25MLC是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的功率MOSFET，属于增强型N沟道场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效、低导通电阻和高可靠性的电路中。PSMN2R8-25MLC采用先进的TrenchMOS技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：10V（最大值）
连续漏极电流（ID）：80A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Power-SO8（LFPAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
功耗（PD）：60W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：25V
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2450pF（典型值）
PSMN2R8-25MLC是一款高性能的功率MOSFET，采用了Nexperia先进的TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热管理能力。其典型RDS(on)值为2.8毫欧，在高电流应用中能显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大连续漏极电流为80A，适合高功率密度设计。
其采用的Power-SO8（LFPAK）封装具有优良的散热性能，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高PCB布局的灵活性。该封装还具备较低的引线电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。
PSMN2R8-25MLC的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关电源、同步整流器和电机控制等应用领域。
PSMN2R8-25MLC因其高性能特性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源分配系统中，提供高效、低损耗的功率转换。在电池管理系统中，它用于电池充放电控制和保护电路。
在工业自动化和电机控制中，该MOSFET用于H桥驱动、电机控制和功率开关电路，支持高电流负载的快速响应。在消费电子领域，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，它也常用于高效率电源转换。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM），满足汽车应用对可靠性和耐久性的高要求。
IPD90N25S3-07, SQM220N25T, IRLB8721PbF, SiSS828DN
