时间：2025/9/14 19:39:39
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PSMN2R5-60PL 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的一款高性能功率MOSFET器件，属于Trench MOSFET技术类别。该器件采用先进的工艺技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于高效率功率转换和管理应用。PSMN2R5-60PL采用标准的功率封装（例如D2PAK或类似封装），便于在各种电路中使用，并提供良好的散热能力。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、电源管理和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）@25°C：180A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：2.5mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK（表面贴装）
PSMN2R5-60PL 具有多个显著的电气和热性能优势，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为2.5毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少发热。该器件能够承受高达60V的漏源电压，并在VGS=10V时提供高达180A的连续漏极电流，适用于高电流需求的应用场景。此外，PSMN2R5-60PL 采用Trench MOSFET技术，提高了器件的开关性能和热稳定性。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。它还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态负载条件下的耐用性。PSMN2R5-60PL 的栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路，同时具备快速开关速度，减少开关损耗，提高系统响应速度。此外，其工作温度范围从-55°C至175°C，适用于恶劣环境下的稳定运行。
该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护功能。PSMN2R5-60PL 的高可靠性设计、低导通损耗和高效热管理能力，使其成为汽车电子、工业电源、电机控制、能源管理系统等高要求应用的理想选择。
PSMN2R5-60PL 适用于多种高功率和高效率的电子系统，广泛用于汽车电子、工业控制、电源管理和能源转换等领域。在汽车应用中，该器件可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及DC-DC转换器等。在工业领域，PSMN2R5-60PL 常用于电机驱动、伺服控制系统、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和高效率电源模块。
由于其高电流能力和低导通电阻，PSMN2R5-60PL 非常适合用于同步整流、负载开关和功率因数校正（PFC）电路。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可用于高效的能量转换和管理。在消费类电子产品中，PSMN2R5-60PL 可用于高性能电源适配器、电池充电器和大功率LED驱动电路。
其优异的热性能和可靠性也使其适用于需要长时间稳定运行的嵌入式系统和工业计算机电源管理模块。此外，PSMN2R5-60PL 还可用于各种电机控制应用，如无人机、机器人、电动工具和工业自动化设备中的电机驱动电路。
SiZ100DT, IRLB8726PbF, FDP100N60, NexFET CSD17579Q5B
