时间：2025/9/15 3:01:42
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PSMN2R2-40PS是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源适配器以及汽车电子等高要求的应用场景。PSMN2R2-40PS采用TSSOP（LFPAK）封装技术，具备优良的热管理和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在Tmb=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功耗（Ptot）：90W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN2R2-40PS的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的Trench沟槽技术，实现了优异的热稳定性和电流处理能力。此外，LFPAK封装具备出色的散热性能，确保在高功率密度应用中保持良好的工作温度。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在恶劣工况下的可靠性。PSMN2R2-40PS还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体响应速度。此外，该MOSFET具有良好的抗短路能力，适用于对安全性和稳定性要求较高的工业与汽车应用。
在制造工艺方面，PSMN2R2-40PS采用符合RoHS标准的无铅封装，支持自动贴装工艺，适合大规模生产。其高可靠性和长寿命特性使其成为高可靠性电源系统的理想选择。
PSMN2R2-40PS广泛用于各类高功率密度电源系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源适配器以及服务器和电信设备的电源模块。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、DC-DC转换器和电池管理系统，满足对高可靠性和高温耐受性的需求。
PSMN3R2-40PS, PSMN4R2-40YS
