时间：2025/9/14 11:24:20
阅读：3
PSMN2R0-30YLE,115是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件专为高效能和高可靠性而设计，适用于各种电源管理和功率转换应用。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）以及出色的热性能，能够有效降低导通损耗并提高整体效率。PSMN2R0-30YLE,115采用了无铅和符合RoHS标准的封装，适用于环保和高性能要求的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
导通电阻（RDS(on)）：2.0mΩ（最大值，在VGS=10V时）
阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V
漏电流（IDSS）：10μA（最大值，在VDS=30V时）
输入电容（Ciss）：约2900pF
PSMN2R0-30YLE,115具有多项显著的性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体能效。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在相同的芯片尺寸下实现更高的电流承载能力，并优化了开关性能。此外，PSMN2R0-30YLE,115的封装设计具有优异的热管理能力，能够有效散热，从而提高器件在高功率应用中的稳定性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在恶劣的电气环境中保持稳定运行。其栅极结构设计优化了驱动要求，降低了开关损耗，并提高了抗干扰能力。此外，该器件的封装形式LFPAK56（也称为Power-SO8）是一种表面贴装封装，具有良好的热性能和机械强度，适合高密度PCB设计，并支持自动化生产流程。
PSMN2R0-30YLE,115的制造工艺符合严格的行业标准，确保了其在高温和高电流条件下的长期可靠性。此外，其低Qg（栅极电荷）值也使其适用于高频开关应用，从而进一步提高了系统效率。
PSMN2R0-30YLE,115广泛应用于多个高性能功率管理系统中，包括但不限于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及电源管理单元（PMU）。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和高功率密度的电源设计，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备和高功率LED照明系统。
在汽车电子领域，PSMN2R0-30YLE,115也可用于车载电源转换器、电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等关键应用，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。此外，该MOSFET还可用于高效率的同步整流电路中，以提升开关电源的整体能效。
IPD180P03P4-03, SQJQ120EP-T1_GE3, FDS4410A, IRF6718PBF, BSC028N03MSG
