时间：2025/9/14 14:18:53
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PSMN2R0-30PL,127 是由 NXP（恩智浦）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率密度和高效率的电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.0mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.8mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：Power-SO8（LFPAK）
引脚数：8
PSMN2R0-30PL,127 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为2.0mΩ，即使在较低的Vgs=4.5V下，Rds(on)也保持在2.8mΩ的较低水平，这使得该器件适用于多种驱动条件。
其次，该MOSFET的漏源电压（Vds）为30V，漏极电流可达160A，具备较强的电流承载能力，适用于高功率输出场景。其最大功率耗散为130W，能够支持高负载条件下的稳定运行。
此外，PSMN2R0-30PL,127采用Power-SO8（LFPAK）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。该封装还具备较低的热阻，有助于提升器件在高功率应用中的可靠性。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适应各种恶劣工作环境，确保在高温条件下仍能稳定运行。同时，其栅源电压容限为±20V，提供更高的驱动灵活性和保护能力。
PSMN2R0-30PL,127 主要应用于高功率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及服务器和通信电源等。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
SiS6200DN-T1-GE3, Nexperia PSMN2R0-30PL
