时间：2025/12/28 14:26:07
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PSMN2R0-25YLD 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）以及优异的热性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用领域。PSMN2R0-25YLD 采用 8 引脚 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装形式，具有优良的散热能力和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：25V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：120A
漏源导通电阻(Rds(on))：2.0mΩ
最大功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN2R0-25YLD 的关键特性之一是其极低的 RDS(on)，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 2.0mΩ RDS(on) 值在 VGS = 10V 时实现，确保了在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
此外，该 MOSFET 使用 NXP 的 TrenchMOS 技术，使芯片结构更紧凑，同时提升性能。LFPAK56 封装不仅提供优异的热管理能力，还具有无引脚设计，便于自动化生产和焊接可靠性。
PSMN2R0-25YLD 的另一个显著特点是其高电流承载能力，连续漏极电流可达 120A，适用于需要大电流输出的电源系统和电机驱动电路。该器件在高温环境下依然能够保持稳定运行，其最高工作温度可达 175°C，增强了在苛刻工业环境中的适用性。
该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流，从而提高系统的安全性和可靠性。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容常见的逻辑电平驱动器，方便设计工程师在不同应用中使用。
PSMN2R0-25YLD 广泛应用于各种高功率密度和高效率的电子系统中，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、工业电源、电机控制模块以及汽车电子系统。
在服务器和通信电源系统中，PSMN2R0-25YLD 可用于多相降压转换器中的高边或低边开关，以实现高效的电压调节和能量转换。其低导通电阻和高电流能力使其成为高负载应用的理想选择。
在汽车电子方面，该器件可用于车载充电系统、DC-DC 转换器和电机驱动控制电路，满足汽车对高可靠性和高效率的要求。同时，其 LFPAK56 封装具有优良的散热性能，适用于紧凑型设计。
此外，该 MOSFET 也适用于便携式设备的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和高端智能手机的充电电路中，有助于提高能效和延长电池寿命。
SiSSPM22N25YLD, IPPB22N25N3, FDP120N25T4
