PSMN1R8-30PL 时间：2025/6/20 14:14:55 阅读：4

PSMN1R8-30PL 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 Trench 技术制造。该器件主要应用于高效率、低功耗的电源管理场景，具有较低的导通电阻和快速开关性能。其封装形式为 Power-SO8，适合表面贴装工艺。
　　这款 MOSFET 属于逻辑电平驱动类型，支持较低的栅极驱动电压，非常适合电池供电设备或需要高效能转换的应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：29A
　　导通电阻：1.6mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

PSMN1R8-30PL 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 较低的栅极电荷（Qg），有助于实现快速开关，降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备更强的鲁棒性。
　　4. 小型化封装设计（Power-SO8），节省 PCB 空间，便于布局。
　　5. 支持逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计，降低了设计复杂度。
　　6. 工作温度范围广，适应多种严苛环境下的应用需求。

应用

PSMN1R8-30PL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. DC/DC 转换器的核心功率级元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换控制。
　　5. 汽车电子系统中的各种功率管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的功率开关应用。