时间：2025/9/15 3:04:28
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PSMN1R7-60BS 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，能够在高频率下稳定工作。PSMN1R7-60BS 主要用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元以及电池供电设备等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：140A
导通电阻（RDS(on)）：1.7mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.8V ~ 3.0V
最大功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN1R7-60BS 具备低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其 140A 的高漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。该器件采用 Nexperia 的 Trench MOS 技术，提供出色的热稳定性和耐久性。
此外，PSMN1R7-60BS 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 20V 之间工作，适用于多种驱动电路设计。其 1.8V 至 3.0V 的栅极阈值电压确保了在不同控制电路下的可靠导通。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，提高整体系统的可靠性。此外，其 PowerSO-10 封装具有优良的散热性能，适合高功率应用。PSMN1R7-60BS 在工作温度范围内保持稳定性能，适应严苛的工业和汽车环境。
PSMN1R7-60BS 常用于电源管理应用，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源解决方案的理想选择。此外，该器件也适用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等场景。
PSMN0R9-60YS, PSMN1R5-60YS, PSMN2R2-60YS
