时间：2025/9/14 14:18:18
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PSMN1R5-40PS,127 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET晶体管，采用增强型P沟道设计，适用于各种高效率电源管理应用。该器件封装为TSSOP（SOT7830-1），具有低导通电阻、高耐压能力及优异的热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-10A（在Tmb=25℃时）
导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ（典型值，VGS=-10V）
最大工作温度：150℃
封装形式：TSSOP
PSMN1R5-40PS,127 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中实现更低的功率损耗，从而提高系统效率。
该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源电压可达-40V，适用于中高压电源转换系统。
其栅极耐压为±20V，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。
采用先进的封装技术，提升了器件的热传导性能，支持更高的连续工作电流，并能在高温环境下稳定运行。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片工艺，适合现代电子制造流程。
PSMN1R5-40PS,127 广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及便携式电子设备的高效电源设计中。
它适用于需要高效率和小尺寸封装的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等。
同时，该MOSFET也可用于工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、LED驱动器以及各种高侧/低侧开关电路。
由于其优异的导通特性和热性能，特别适合用于同步整流、负载切换和电源保护电路中。
PSMN0R9-40PS,127, PSMN2R8-40PS,127
