时间：2025/9/15 4:26:53
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PSMN1R5-30YLC是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号部门）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电路设计中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有优良的热稳定性和电流处理能力。PSMN1R5-30YLC特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理以及汽车电子等应用领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（@ Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~2.5V
最大功耗（Ptot）：45W
封装形式：LFPAK56（5665封装）
工作温度范围：-55°C~175°C
PSMN1R5-30YLC具有多个显著的技术特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。
首先，该器件的超低导通电阻（Rds(on)）为1.5mΩ，在Vgs=10V条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。这对于高功率密度和高能效要求的应用至关重要。
其次，PSMN1R5-30YLC采用LFPAK56封装，这是一种无引线、双侧散热的先进封装技术，能够提供更优异的热性能和机械强度，同时有助于减小PCB空间占用，适用于高密度电路设计。
此外，该MOSFET具备高电流处理能力，最大漏极电流可达12A，支持在高负载条件下稳定工作。其栅极阈值电压范围为1V~2.5V，适合与多种类型的控制器或驱动器配合使用，兼容性强。
器件的工作温度范围为-55°C~175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛环境条件下的工业和汽车应用。
最后，PSMN1R5-30YLC符合RoHS标准，无卤素，符合当前电子产品的环保要求。
PSMN1R5-30YLC因其高性能特性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统，其低导通电阻和高效率有助于提升整体系统性能。
在汽车电子领域，PSMN1R5-30YLC适用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）、电机控制和车身控制模块等应用，其宽工作温度范围和高可靠性确保在严苛环境下稳定运行。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、伺服电机控制、LED照明驱动以及消费类电子产品中的高效率电源设计。
由于其优异的热性能和紧凑封装，PSMN1R5-30YLC非常适合空间受限且需要高效能的高密度电路板设计。
SiSS14DN-T1-GE3, BSC016N04LS5AG, PSMN0R9-30YLC
