时间：2025/9/14 21:40:32
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PSMN1R5-30YLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为高效率功率转换应用设计。该器件具有极低的导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：90A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值）
封装类型：LFPAK56(E)
工作温度范围：-55°C至175°C
功率耗散(Pd)：130W
PSMN1R5-30YLC,115 采用Nexperia先进的Trench MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，使其在高电流应用中表现出色。其Rds(on)仅为1.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。器件的连续漏极电流可达90A，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET采用LFPAK56(E)封装，具有优异的散热性能和机械稳定性，能够在高温环境下稳定运行。该封装还具备双面散热能力，进一步提升热管理效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，兼容标准逻辑电平驱动，适用于多种功率控制电路。
PSMN1R5-30YLC,115 在短路和过载条件下具有良好的鲁棒性，增强了系统的可靠性。其低Qg和Qoss特性减少了开关损耗，提高了高频开关应用的性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
PSMN1R5-30YLC,115 主要用于高性能电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业电机驱动、电源负载开关、服务器电源和电信设备电源等应用。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换系统的理想选择，同时适用于需要高可靠性和高热稳定性的严苛环境应用场景。
PSMN0R9-30YLC,115, PSMN1R2-30PLC,115, IPB090N03L06S4-03
