时间：2025/4/28 18:31:08
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PSMN1R2-30YLDX 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET，采用 LFPAK88 封装形式。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于开关电源、负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理等应用中。
这款 MOSFET 在设计上注重降低功耗和提高系统效率，适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：-74A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：56nC
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：LFPAK88
PSMN1R2-30YLDX 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流应用场景下显著减少功耗。
2. 高额定电流能力，能够承受高达 74A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，有助于提高转换效率并减少电磁干扰 (EMI)。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，使其非常适合恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 具备出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的设备。
7. LFPAK88 封装提供良好的散热性能，同时具备小型化优势。
PSMN1R2-30YLDX 主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关或同步整流器件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关，尤其是在需要高效能的降压或升压电路中。
3. 电池管理系统 (BMS)，例如电动汽车或便携式设备中的电池保护和充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和电机驱动。
5. 汽车电子领域，如启动/停止系统、电动助力转向 (EPS) 和其他车身控制系统。
6. 高电流场景下的保护电路，例如过流保护和短路保护。
PSMN1R0-30YLDX
PSMN1R4-30YLDX
PSMN1R9-30YLDX
