您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSH111BKR

BSH111BKR 发布时间 时间:2025/9/15 4:05:53 查看 阅读:28

BSH111BKR 是由英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低功耗开关操作的电子系统中。这款MOSFET采用小型化的PG-SOT23-3封装形式,适合需要紧凑设计的电路板布局。BSH111BKR在设计上优化了导通电阻(Rds(on))和开关性能,使其适用于各种中低功率的电源管理和负载开关应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):100mA
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):7nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:PG-SOT23-3

特性

BSH111BKR MOSFET具有多个关键特性,使其在众多应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高了整体系统的效率。对于需要低功耗设计的应用场景,例如电池供电设备,这一点尤为重要。
  其次,该MOSFET支持较高的漏源电压(60V),使其能够承受较大的电压波动,适用于多种中压开关应用。此外,±20V的栅源电压容限提供了更大的设计灵活性,并减少了栅极驱动电路的设计复杂性。
  BSH111BKR还具有快速开关能力,栅极电荷(Qg)仅为7nC,有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。这使其非常适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关控制。
  另外,PG-SOT23-3封装形式不仅节省空间,还具备良好的热性能,能够有效散热以维持稳定运行。该封装还支持表面贴装工艺(SMT),简化了电路板制造和组装流程。
  综合来看,BSH111BKR在性能、尺寸和可靠性方面达到了良好的平衡,是中低功率电子系统中的理想选择。

应用

BSH111BKR广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 电池供电设备中的负载开关控制,用于延长电池寿命并提高能效。
  2. 电源管理系统,例如DC-DC转换器和电压调节模块。
  3. 通用开关应用,如继电器驱动、LED控制和电机控制。
  4. 工业自动化和控制系统,提供高效且可靠的电子开关功能。
  5. 消费类电子产品中的低功耗开关和电源管理电路。

替代型号

BSH111BKTMA1、BSH111BKS、BSH111BKTMA2

BSH111BKR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BSH111BKR参数

  • 现有数量102,554现货
  • 价格1 : ¥2.23000剪切带(CT)3,000 : ¥0.39376卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)210mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)30 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)302mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3