时间：2025/9/15 4:05:53
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BSH111BKR 是由英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低功耗开关操作的电子系统中。这款MOSFET采用小型化的PG-SOT23-3封装形式，适合需要紧凑设计的电路板布局。BSH111BKR在设计上优化了导通电阻（Rds(on)）和开关性能，使其适用于各种中低功率的电源管理和负载开关应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：7nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PG-SOT23-3
BSH111BKR MOSFET具有多个关键特性，使其在众多应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。对于需要低功耗设计的应用场景，例如电池供电设备，这一点尤为重要。
其次，该MOSFET支持较高的漏源电压（60V），使其能够承受较大的电压波动，适用于多种中压开关应用。此外，±20V的栅源电压容限提供了更大的设计灵活性，并减少了栅极驱动电路的设计复杂性。
BSH111BKR还具有快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为7nC，有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。这使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关控制。
另外，PG-SOT23-3封装形式不仅节省空间，还具备良好的热性能，能够有效散热以维持稳定运行。该封装还支持表面贴装工艺（SMT），简化了电路板制造和组装流程。
综合来看，BSH111BKR在性能、尺寸和可靠性方面达到了良好的平衡，是中低功率电子系统中的理想选择。
BSH111BKR广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电池供电设备中的负载开关控制，用于延长电池寿命并提高能效。
2. 电源管理系统，例如DC-DC转换器和电压调节模块。
3. 通用开关应用，如继电器驱动、LED控制和电机控制。
4. 工业自动化和控制系统，提供高效且可靠的电子开关功能。
5. 消费类电子产品中的低功耗开关和电源管理电路。
BSH111BKTMA1、BSH111BKS、BSH111BKTMA2
