时间：2025/9/15 1:32:32
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PSMN1R1-25YLC是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和优异的热性能。这款MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装，适用于多种高功率密度和高效率的电源管理应用。PSMN1R1-25YLC具有优异的可靠性，广泛用于汽车电子、工业控制、电源转换器、电机驱动和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：25V
连续漏极电流(ID)：120A（在25°C下）
导通电阻(RDS(on))：1.1mΩ（最大值）
栅极电荷(Qg)：70nC（典型值）
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
工作温度范围：-55°C至175°C
最大耗散功率(PD)：97W（在25°C下）
栅源电压(VGS)：±20V
PSMN1R1-25YLC采用Nexperia的高性能Trench MOSFET工艺，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高效的电流处理能力，确保在高负载条件下依然保持较低的功率损耗。该器件的RDS(on)值在1.1mΩ以下，使得导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。此外，其高电流容量（120A）和优异的热管理能力，使其适用于需要高功率密度的应用。
该MOSFET采用LFPAK56封装，这是一种无引脚、双侧散热的表面贴装封装，具有优异的热传导性能和更高的机械稳定性。这种封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并支持更高的电流承载能力，同时降低封装电阻和电感，从而减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
PSMN1R1-25YLC的工作温度范围为-55°C至175°C，具备出色的温度稳定性，可在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。其栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，提供更高的栅极驱动灵活性和抗干扰能力，同时具备良好的雪崩能量承受能力，增强器件的可靠性。
PSMN1R1-25YLC广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统，如汽车电子中的电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器；工业领域的电机驱动、伺服控制、电源模块和高功率开关电源（SMPS）；以及消费类电子产品中的高性能电源适配器、笔记本电脑电源管理和储能系统。此外，该器件也适用于需要高效率和高功率密度的功率因数校正（PFC）电路和同步整流器。
SiSSPM120LQ, BSC120N15NS5, Nexperia PSMN2R1-25YLC, Infineon BSC120N15NS5, STMicroelectronics STL110N3LLH6
