时间：2025/3/24 11:39:40
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HH15N680J250CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该型号具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压，能够满足高效能电力电子设备的需求。
HH15N680J250CT 的设计优化了沟道结构和封装工艺，从而降低了器件的热阻并提升了散热性能，非常适合大功率应用环境。
最大漏源电压：680V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.25Ω
栅极阈值电压：3V~5V
功耗：175W
结温范围：-55℃~+175℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压为 680V，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（0.25Ω 典型值），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，具备较低的输入和输出电荷，使开关损耗最小化。
4. 小尺寸封装结合出色的散热设计，确保在紧凑型设计中保持良好的热稳定性。
5. 高可靠性，适用于恶劣的工作条件，如高温或频繁开关操作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业规范要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级，用于实现高效能源传输。
2. 电机驱动电路，支持直流无刷电机和其他类型的电机控制。
3. DC-DC 转换器，用于电压调节和稳定输出。
4. 太阳能逆变器模块，助力可再生能源发电系统的运行。
5. 各类工业自动化设备，提供稳定的功率切换功能。
6. 电动车及混合动力汽车的电池管理系统（BMS）中作为关键元件。
HH15N680J250CT, IRFP260N, STP15NF65W, FDP18N65C3
