PSMN1R0-40YLD 时间：2025/5/8 14:34:09 阅读：10

PSMN1R0-40YLD 是一款由 NXP（恩智浦）推出的功率 MOSFET，属于 PSM 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器以及其他功率管理应用。此 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，是一种紧凑且散热性能良好的表面贴装封装。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：52A
　　导通电阻：1.0mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：LFPAK88

特性

PSMN1R0-40YLD 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（1.0mΩ），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流（52A），适用于大功率应用。
　　3. 小型化封装 LFPAK88，支持表面贴装技术，易于集成到现代电路板设计中。
　　4. 宽工作温度范围（-55°C 至 175°C），能够在恶劣环境下稳定运行。
　　5. 快速开关性能，适合高频开关应用。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

PSMN1R0-40YLD 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关。
　　5. 汽车电子系统中的高电流控制。
　　6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
　　由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 成为许多高性能功率管理系统的首选解决方案。