您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGH75T65UPD_F085

FGH75T65UPD_F085 发布时间 时间:2025/8/25 2:08:40 查看 阅读:17

FGH75T65UPD_F085 是一款由富士电机(Fuji Electric)推出的高性能碳化硅(SiC)功率模块,属于其第7代X系列功率模块产品线。该模块基于先进的碳化硅半导体技术,具有高效率、低开关损耗和高可靠性等优点,适用于需要高效能和高稳定性的功率转换系统。该模块主要面向工业和新能源应用,如电动汽车充电设备、光伏逆变器、储能系统和工业电机驱动器。

参数

类型:碳化硅(SiC)功率模块
  额定电压:650V
  额定电流:75A
  拓扑结构:双管(Dual)结构,包含两个SiC MOSFET器件
  封装形式:高性能绝缘双列直插式封装(符合行业标准)
  工作温度范围:-40°C 至 +175°C
  热阻(Rth):根据散热器和冷却方式而定,通常在0.5°C/W至1.2°C/W之间
  开关损耗:典型值为几十纳焦耳(nJ),具体数值可参考数据手册
  导通压降:典型值约为1.5V(在额定电流下)
  短路耐受能力:具备一定的短路耐受能力,适用于高可靠性系统

特性

FGH75T65UPD_F085 的核心优势在于其采用碳化硅材料制造的MOSFET器件,相较于传统的硅基IGBT模块,SiC器件具有更高的电子迁移率、更低的导通压降和显著降低的开关损耗。这使得模块能够在高频条件下运行,同时保持较高的能量转换效率。
  此外,该模块具备出色的热管理性能,能够在较高的工作温度下稳定运行,从而减少冷却系统的需求,适用于紧凑型设计和高温工作环境。其双管拓扑结构支持灵活的电路配置,适用于半桥、H桥等多种拓扑结构。
  模块还集成了优化的封装设计,确保了良好的电气绝缘性能和机械稳定性,同时降低了寄生电感,提高了模块在高频工作时的稳定性。此外,该模块还具备优异的短路保护能力,能够在异常工作条件下保持器件的安全运行。

应用

FGH75T65UPD_F085 主要应用于高效能、高频率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车充电设备(如直流快充桩)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、储能系统、工业变频器以及电机驱动系统等。由于其高效率和高可靠性,该模块也适用于需要紧凑设计和高效散热的高端工业设备。此外,在电动汽车领域,该模块可用于车载充电器(OBC)和DC/DC转换器等关键部件。

替代型号

FGH75T65SQD_F085, FGH40T65UPD_F085

FGH75T65UPD_F085推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGH75T65UPD_F085资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载