时间：2025/5/7 13:33:15
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PSMN1R0-30YLC 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET，具体属于 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 LFPAK56D 封装形式，适用于多种高效率、低功耗的应用场景。由于其出色的导通电阻特性和开关性能，PSMN1R0-30YLC 广泛用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理等应用领域。
该器件的最大特点是低导通电阻以及高电流处理能力，同时具备良好的热性能和电气性能。
型号：PSMN1R0-30YLC
封装：LFPAK56D
Vds（漏源极电压）：-30V
Rds(on)（导通电阻）：1.0mΩ（典型值，在 Vgs=-10V 和 Id=79A 条件下）
Id（连续漏极电流）：-80A
Vgs（栅源电压范围）：-10V 至 0V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷（Qg）：25nC（典型值）
反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管）
PSMN1R0-30YLC 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 -80A 的连续漏极电流。
3. 采用先进的铜夹片技术，优化了热性能和电气连接。
4. LFPAK56D 封装提供了卓越的散热能力和坚固的机械结构。
5. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适合工业及汽车级应用。
6. 不含体二极管设计，避免了反向恢复损耗。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
PSMN1R0-30YLC 适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的负载开关和同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 汽车电子应用，例如电池管理系统（BMS）、电机驱动和车身控制模块。
4. 工业设备中的功率转换和控制电路。
5. 便携式设备中的高效电源管理方案。
6. LED 驱动器和其他需要高效率功率切换的应用。
其优异的性能使其在高功率密度和高效率要求的场景中表现尤为突出。
PSMN1R1-30YLC
PSMN1R2-30YLC
