时间：2025/9/14 22:12:13
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PSMN1R0-25YLD是一款由Nexperia（安世半导体）制造的功率MOSFET，属于TrenchMOS系列，采用先进的沟槽技术实现高效能。该器件适用于高电流和高频率应用，具备较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，适合用于电源管理和功率转换系统。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具备较高的可靠性和耐用性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：25V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：150A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ（最大值，Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56 (也称为Power-SO8)
PSMN1R0-25YLD采用了Nexperia的TrenchMOS技术，使得其在低电压范围内具备非常低的Rds(on)，从而减少导通损耗并提高效率。其1.0mΩ的最大导通电阻确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，这对于高效率的电源设计尤为重要。
此外，该MOSFET的封装采用LFPAK56（Power-SO8）形式，具有出色的热性能，能够有效散热，适用于高密度电源设计。其封装设计也支持双面散热，进一步提升热管理能力。
该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态负载或感性负载切换时的稳定性。其栅极驱动电压范围支持从4.5V至10V，使其兼容多种驱动电路，包括低压控制器和DC-DC转换器。
PSMN1R0-25YLD还具备较低的输入电容（Ciss）和门电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关电源、同步整流、电机控制和电池管理系统等应用场景。
PSMN1R0-25YLD广泛应用于高效率电源系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统。此外，它也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和48V轻混系统。由于其优异的热性能和低Rds(on)，它也适合用于多相电源设计和并联MOSFET配置。
PSMN1R0-25YL, PSMN1R5-25YLD, PSMN2R0-25YLD
