时间：2025/9/14 17:38:59
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PSMN130-200D,118 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高功率密度应用而设计，具有优异的导通电阻（Rds(on)）性能和较高的电流处理能力。它采用标准的TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和散热能力，适用于各种工业控制、电源转换、电机驱动以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：130A
最大漏源电压（Vds）：200V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大8.5mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220
阈值电压（Vgs(th)）：约3V至5V
漏极电容（Coss）：约1800pF
PSMN130-200D,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下也能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，它还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。该器件的封装设计有利于散热，提高了器件在高功率条件下的可靠性。
其栅极驱动特性也经过优化，能够在较宽的栅极电压范围内实现良好的导通状态，使得驱动电路的设计更加灵活。此外，PSMN130-200D,118 具有良好的抗雪崩能力，能够在非正常工作条件下（如过压或过流）提供一定程度的保护，延长器件的使用寿命。
PSMN130-200D,118 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见应用包括直流-直流转换器（DC-DC Converter）、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及电动汽车的电力电子系统。由于其优异的导通特性和高可靠性，该器件也常用于需要高效能功率开关的场合，如太阳能逆变器、储能系统以及高功率LED照明驱动电路。
PSMN130-200D,118 可以被以下型号替代：IPB130N20N3 G、STP130N20F7AG、FDP130N20F1604、FDMS86201、IRFP4468PBF、SiHP130N200CD、SiHP130N200CFD
