时间：2025/9/14 19:51:57
阅读：5
PSMN102-200Y,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力。该器件适用于多种高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。
类型：N 沟道
最大漏极电流（Id）：30 A
最大漏源电压（Vds）：200 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻 Rds(on)：最大 102 毫欧（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：83 W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN102-200Y,115 采用 Nexperia 的先进 Trench MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的 Vds 耐压高达 200V，使其适用于高压电源转换应用，如 AC-DC 电源适配器、工业电源系统和电机驱动器。
此外，PSMN102-200Y,115 具有宽泛的栅极电压容限（±20V），允许在较高栅极驱动电压下运行，从而进一步降低导通损耗并提高开关性能。该器件的封装为 TO-220AB，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，使其在突发电压或电流冲击下仍能保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。其 83W 的最大功率耗散能力也使其在高负载条件下仍能维持稳定性能。
PSMN102-200Y,115 主要用于需要高压、高电流处理能力的功率电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。此外，该器件也可用于电源适配器、服务器电源和电信设备中的功率控制电路。
由于其良好的导热性能和稳定的电气特性，PSMN102-200Y,115 也广泛用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和车身控制模块中的功率开关。同时，其高可靠性也使其适用于需要长时间连续运行的工业控制系统。
STP30NF20, IRF3205, FDPF30N20, NTD30N20
