时间：2025/9/15 1:51:57
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PSMN0R7-25YLD是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能功率MOSFET器件，属于Trench MOSFET技术类别。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源管理和功率转换应用。PSMN0R7-25YLD的额定电压为25V，适合用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。该器件在热管理和电气性能方面表现出色，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
RDS(on)：最大0.7mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（5x6mm）
PSMN0R7-25YLD采用Nexperia先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低功率损耗，提高系统效率。其RDS(on)值在VGS=10V时仅为0.7mΩ，使得在大电流应用中也能保持较低的导通损耗。此外，该器件具有高电流承载能力和优异的热性能，能够在较高的环境温度下稳定运行，适用于高密度功率设计。
该MOSFET采用LFPAK56封装，具备优异的热导性能，能够有效将热量传导至PCB，提高系统的热稳定性。同时，LFPAK封装具有较高的机械强度和可靠性，适用于汽车电子、工业电源等严苛工作环境。
PSMN0R7-25YLD还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流电路。其优化的栅极设计提高了器件的稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中可靠工作。
PSMN0R7-25YLD广泛应用于各类高效能功率管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备的电源模块。由于其优异的热性能和高电流承载能力，该器件特别适合用于需要高功率密度和高效率的工业和汽车电子系统。
在服务器电源和VRM（电压调节模块）应用中，PSMN0R7-25YLD可作为高效同步整流MOSFET，显著降低导通损耗并提高整体效率。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，提供稳定的电流路径和可靠的开关性能。此外，该器件也适用于电动工具、无人机和工业电机驱动等需要高电流和低导通电阻的场合。
PSMN1R0-25YLD, PSMN2R0-25YLD
