时间：2025/6/26 0:22:47
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MT15N6R8C500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的封装设计，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电等应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电力电子设备的理想选择。
该器件具有出色的热性能和电气性能，能够显著提高系统的效率和功率密度。同时，它还具备短路保护和过温保护功能，以确保在各种工况下的可靠性。
型号：MT15N6R8C500CT
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650 V
额定电流：4 A
导通电阻（典型值）：8 mΩ
栅极电荷：30 nC
输入电容：1200 pF
最大工作结温：175 °C
封装形式：TO-252
MT15N6R8C500CT具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（8 mΩ），从而减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高达几兆赫兹的工作频率，非常适合高频应用。
3. 出色的热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 高度可靠的制造工艺，保证了长期使用中的稳定性。
这款器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如笔记本电脑适配器、USB-PD快充等。
2. DC-DC转换器：用于服务器、通信设备和电动汽车中的电源管理。
3. 无线充电模块：提供高效的能量传输。
4. 激光雷达（LiDAR）：由于其高频响应能力，适用于激光测距设备。
5. 电机驱动：例如家用电器和工业自动化控制中的小功率电机驱动。
6. 光伏逆变器：有助于提高光伏系统的发电效率。
MT15N6R9C500CT, STGAP100H650T, EPC2020
