时间：2025/9/15 2:03:27
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PSMN059-150Y,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：150 V
最大栅源电压 Vgs：±20 V
最大连续漏极电流 Id：180 A（在 Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：5.9 mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：320 W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
极性：N 沟道
工艺技术：Trench MOS
PSMN059-150Y,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 5.9 mΩ，适合用于高电流应用。此外，它采用了 LFPAK56 封装，这种封装具有出色的热性能和机械强度，能够承受高温和高应力环境。
该 MOSFET 支持高达 180A 的连续漏极电流，适用于需要大电流处理能力的电源系统。其 ±20V 的栅源电压耐受能力使得在高电压驱动条件下也能保持稳定工作，提高了系统的可靠性。此外，PSMN059-150Y,115 具有良好的雪崩能量耐受能力，可在高应力开关条件下提供额外的保护。
由于其高功率密度和紧凑的封装设计，PSMN059-150Y,115 非常适合用于空间受限的应用，例如汽车电子、工业自动化和服务器电源系统。LFPAK56 封装还具有良好的焊接可靠性和可检测性，便于自动化生产和质量控制。
总体而言，PSMN059-150Y,115 是一款高性能功率 MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的各种应用场景。
PSMN059-150Y,115 主要用于以下应用领域：电源管理系统（如 DC-DC 转换器、同步整流器）、电机驱动器、负载开关、电池管理系统、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）以及工业自动化控制系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它特别适合用于高功率密度和高效率要求的应用场景。
IPB059N15N3, INF150N15LM, IPPB90N15N3
