BF820W 时间：2025/8/2 7:58:32 阅读：30

BF820W 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、电源开关和负载管理。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.45Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

BF820W的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其600V的高击穿电压使其适用于高电压电源应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制和照明系统。此外，该器件采用了先进的平面条形技术和高雪崩耐受能力，以确保在恶劣工作条件下的稳定性与可靠性。
　　BF820W还具有良好的热性能，其TO-220封装可以有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电路，便于与多种控制IC配合使用。此外，该器件具有较高的dv/dt耐受能力，有助于减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　由于其优异的电气和热性能，BF820W广泛用于工业电源、家用电器、LED照明驱动和自动化控制系统中。同时，其高可靠性和成熟的制造工艺使其成为许多设计工程师的首选。

应用

BF820W常用于各种电源管理应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中的功率开关。它也非常适合用于高电压和高效率要求的电源适配器和充电器设计中。此外，该MOSFET还可用于电源管理IC（PMIC）的外围开关元件，适用于需要高稳定性和高效率的电子设备。