时间：2025/9/14 8:26:48
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PSMN050-80BS,118 是恩智浦（NXP）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，属于TrenchMOS系列，采用增强型N沟道结构。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，广泛用于电源转换、DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关等场景。PSMN050-80BS,118具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：5.4mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：220W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装（SMD）
PSMN050-80BS,118 MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高能效。该器件的Rds(on)典型值仅为5.4mΩ，在10V栅极驱动电压下可提供出色的电流承载能力。此外，其高耐压特性（80V漏源电压）使其适用于各种中高压功率转换系统。该MOSFET的封装采用LFPAK56技术，具有优异的热传导性能和机械稳定性，支持高功率密度设计。
其增强型结构确保在栅极电压为零时器件处于关闭状态，提高了系统安全性。此外，PSMN050-80BS,118具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。该器件还具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。
PSMN050-80BS,118支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提升了制造效率和产品一致性。其工作温度范围广泛（-55℃至175℃），适合在严苛的工业、汽车和通信环境中使用。
PSMN050-80BS,118 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的系统中。典型应用包括服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、负载开关以及各种电源管理模块。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件特别适合用于需要高电流和高效率的电源转换设备中，如电源适配器、UPS系统和工业控制设备。
此外，该MOSFET也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电机驱动器，其高耐压能力和良好的热管理性能使其能够在复杂的汽车环境中稳定运行。
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"PSMN051-80BS,118",
"PSMN053-80YLC",
"BSC050N08NS5",
"IRF6753",
"SiR178DP"
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