时间：2025/9/14 20:42:16
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PSMN038-100YL 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性。PSMN038-100YL 的最大漏源电压（VDS）为 100V，最大漏极电流（ID）为 100A，适用于高功率密度设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 VDS：100V
最大漏极电流 ID：100A
导通电阻 RDS(on)：3.8mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：175nC（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
PSMN038-100YL 具有极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件采用了 Nexperia 的高性能 Trench MOS 技术，能够在高电流和高温条件下保持稳定的性能。
此外，PSMN038-100YL 提供了出色的热稳定性，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关。其高电流承载能力和良好的热管理性能，使得该器件在高功率应用中表现出色。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。PSMN038-100YL 的封装形式为 TO-220，便于安装和散热，适用于通孔焊接工艺。
PSMN038-100YL 常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化设备和汽车电子系统等。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理系统中也得到了广泛应用。此外，PSMN038-100YL 也可用于高功率 LED 驱动器、不间断电源（UPS）以及电信设备中的功率管理模块。
IRF1405, IPW90R038P7, PSMN041-100YL, PSMN054-100YS
