IXTH5N100 时间：2025/8/6 3:15:09 阅读：33

IXTH5N100是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高功率MOSFET晶体管，属于功率半导体器件的一种。该器件采用TO-247封装形式，广泛应用于高功率开关电源、逆变器、马达控制以及工业自动化设备中。IXTH5N100具有低导通电阻和高耐压能力，适合在高电流和高温环境下运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1000V
　　最大漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：4V~6V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH5N100具备多项高性能特性，首先是其高耐压能力，漏源电压最高可达1000V，适用于高压电力电子应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为2.2Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXTH5N100采用先进的平面工艺制造，确保了良好的热稳定性和可靠性。
　　在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。该器件的栅极阈值电压范围为4V~6V，便于与常见的控制电路（如微控制器或驱动IC）配合使用。同时，IXTH5N100的最大栅极电压为±20V，确保了栅极驱动的安全性，防止因电压过冲导致器件损坏。
　　该MOSFET还具有较高的耐瞬态冲击能力，能够在短时间内承受较大的电流和电压应力，适用于需要频繁开关或存在负载突变的应用场景。其工作温度范围为-55°C~175°C，适用于多种工业环境下的稳定运行。

应用

IXTH5N100广泛应用于多个高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和UPS系统等。在工业控制领域，该器件可用于驱动高功率负载，如电动机、加热元件和电磁阀等。由于其高耐压和良好的导热性能，IXTH5N100也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及LED照明驱动等新能源和节能应用。
　　在电力电子变换系统中，IXTH5N100可以作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。例如，在高压直流输电系统或电能质量调节装置中，该MOSFET可用于快速开关控制，以提高系统的响应速度和稳定性。此外，在家用电器和工业自动化设备中，IXTH5N100也常用于高功率负载的控制电路中。