IXTH5N100是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的高功率MOSFET晶体管,属于功率半导体器件的一种。该器件采用TO-247封装形式,广泛应用于高功率开关电源、逆变器、马达控制以及工业自动化设备中。IXTH5N100具有低导通电阻和高耐压能力,适合在高电流和高温环境下运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1000V
最大漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):2.2Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):4V~6V
最大栅极电压(Vgs):±20V
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C~175°C
封装类型:TO-247
IXTH5N100具备多项高性能特性,首先是其高耐压能力,漏源电压最高可达1000V,适用于高压电力电子应用。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为2.2Ω,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,IXTH5N100采用先进的平面工艺制造,确保了良好的热稳定性和可靠性。
在封装方面,TO-247封装提供了良好的散热性能,适合在高功率应用中使用。该器件的栅极阈值电压范围为4V~6V,便于与常见的控制电路(如微控制器或驱动IC)配合使用。同时,IXTH5N100的最大栅极电压为±20V,确保了栅极驱动的安全性,防止因电压过冲导致器件损坏。
该MOSFET还具有较高的耐瞬态冲击能力,能够在短时间内承受较大的电流和电压应力,适用于需要频繁开关或存在负载突变的应用场景。其工作温度范围为-55°C~175°C,适用于多种工业环境下的稳定运行。
IXTH5N100广泛应用于多个高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和UPS系统等。在工业控制领域,该器件可用于驱动高功率负载,如电动机、加热元件和电磁阀等。由于其高耐压和良好的导热性能,IXTH5N100也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及LED照明驱动等新能源和节能应用。
在电力电子变换系统中,IXTH5N100可以作为主开关器件,用于实现高效的能量转换。例如,在高压直流输电系统或电能质量调节装置中,该MOSFET可用于快速开关控制,以提高系统的响应速度和稳定性。此外,在家用电器和工业自动化设备中,IXTH5N100也常用于高功率负载的控制电路中。
IXTH5N100的替代型号包括IXTH6N100、IXTH5N100A以及STMicroelectronics的STP5N100系列。